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β-Ga2O3为直接带隙半导体材料,禁带宽度为4.9eV,击穿电场强度为8MV/cm,是Si的20多倍,SiC和GaN的2倍以上.可以用于高耐压功率器件、紫外探测器以及GaN衬底材料等领域.
大尺寸高质量β-Ga2O3单晶研究
【摘 要】
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β-Ga2O3为直接带隙半导体材料,禁带宽度为4.9eV,击穿电场强度为8MV/cm,是Si的20多倍,SiC和GaN的2倍以上.可以用于高耐压功率器件、紫外探测器以及GaN衬底材料等领域.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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