【摘 要】
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采用化学水浴法(CBD)两次沉积CdS制备了结构为CdS/CdS的薄膜,并利用电子束真空蒸发法在两层CdS薄膜之间沉积一层稀土Dy单质薄膜,分别制备了含有4 nm、7 nm、11 nm不同厚
【机 构】
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内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021
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采用化学水浴法(CBD)两次沉积CdS制备了结构为CdS/CdS的薄膜,并利用电子束真空蒸发法在两层CdS薄膜之间沉积一层稀土Dy单质薄膜,分别制备了含有4 nm、7 nm、11 nm不同厚度稀土Dy掺杂层的CdS多晶薄膜,然后将薄膜在400℃氮气保护条件下热处理30min.XRD测试结果表明,未掺杂的CdS薄膜为沿(111)晶向择优生长的立方相闪锌矿结构,含有稀土Dy掺杂层的CdS薄膜则为立方相和六方相的混合结构,并且衍射峰强度明显降低,但择优取向并未发生改变.SEM、EDX分析表明掺杂后薄膜的晶粒尺寸增大,并且薄膜均匀性和致密性得到提高,同时薄膜中Cd和S的原子比例更接近CdS的化学计量比.利用紫外可见分光光度计对薄膜的光学透过率进行测试并利用外推法计算了样品的光学带隙,结果表明,Dy掺杂提高了CdS薄膜在可见光范围内的透过率,并使CdS光学带隙减小.采用霍尔效应测试仪对薄膜在室温下的导电类型、载流子浓度、和电阻率进行表征,结果显示所有样品导电类型均为N型,说明Dy掺杂并未改变CdS薄膜的导电类型,但掺入稀土Dy后薄膜载流子浓度提高两个数量级,电阻率明显降低.
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