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氧化铪(HfO2)已经被广泛用于AlGaN/GaN HEMT器件的表面钝化介质或栅介质,能够有效抑制栅极泄漏电流和电流崩塌等效应[1-2].当氧化铪介质淀积在A1GaN/GaN异质结材料表面时,材料特性会受到显著影响[3].
氧化铪表面介质对AlGaNGaN异质结二维电子气的影响机制
【摘 要】
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氧化铪(HfO2)已经被广泛用于AlGaN/GaN HEMT器件的表面钝化介质或栅介质,能够有效抑制栅极泄漏电流和电流崩塌等效应[1-2].当氧化铪介质淀积在A1GaN/GaN异质结材料表面时,材
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,陕西西安710071
【出 处】
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第十九届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2013年7期
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