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半导体自旋动力学的研究对于实现自旋相关的器件和基础物理都有着重要的意义[1].近年来,人们对于半导体量子阱[2]以及n-GaAs[3]体材料中的电子自旋弛豫和退相干过程及其物理机制开展了大量研究工作.
p-GaAs体材料中电子自旋动力学研究空穴屏蔽效应
【摘 要】
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半导体自旋动力学的研究对于实现自旋相关的器件和基础物理都有着重要的意义[1].近年来,人们对于半导体量子阱[2]以及n-GaAs[3]体材料中的电子自旋弛豫和退相干过程及其物理
【机 构】
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中科院半导体研究所,北京100083
【出 处】
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第十九届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2013年7期
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