切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
会议论文
CMOS单元版图生成中的晶体管布局算法
CMOS单元版图生成中的晶体管布局算法
来源 :第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lbo
【摘 要】
:
本文提出了一个基于模拟退火技术的CMOS标准(库)单元版图生成中的单元内晶体管布局算法,在满足高度约束的前提出同时优化单元版图的面积和时延,可处理不局限于静态串并联结构的电路,考虑大尺寸管子折叠等因素,最终生成二维样式标准单元版图.
【作 者】
:
马琪
卢永江
王卉
严晓浪
【机 构】
:
杭州电子工业学院CAD研究所(杭州)
【出 处】
:
第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
:
2001年6期
【关键词】
:
单元版图生成
晶体管布局
模拟退火
集成电路
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文提出了一个基于模拟退火技术的CMOS标准(库)单元版图生成中的单元内晶体管布局算法,在满足高度约束的前提出同时优化单元版图的面积和时延,可处理不局限于静态串并联结构的电路,考虑大尺寸管子折叠等因素,最终生成二维样式标准单元版图.
其他文献
马兰哥尼对流与硅中氧含量控制
本文通过对晶体生长过程中的马兰哥尼对流的研究,探讨了控制马兰哥尼对泫,可以控制熔硅自由表面SiO的挥发,从而达到控制硅单晶中氧含量的目的.
会议
单晶硅
氧含量控制
晶体生长
马兰哥尼对流
Si与Si基材料质量提高的一些问题
会议
硅基光电集成基础研究
会议
自旋电子学及其集成技术的研究和发展
会议
解析GDSⅡ文件格式
本文详细的分析了集成电路版图设计中最常用的图形数据描述语言文件格式之一:GDSⅡ文件格式.由于GDSⅡ文件是二进制格式,无法用文本编辑器来看,可读性差,本文试图通过实例分析的方法解读GDSⅡ格式文件,以得到对GDSⅡ格式深入的了解.
会议
图形数据格式
GDSⅡ
集成电路
版图设计
GDSⅡ文件格式
微光刻苦技术数据处理及数据转换体系
本文重点介绍微光刻技术图形数据处理及数据转换体系.包括微光刻技术需要处理的图形数据类型,常用的图形数据处理及图形编辑软件,特殊图形数据处理技术,常用的图形数据格式及数据格式转换技术.
会议
微光刻
光掩模
数据处理
格式转换
一种用于TLF文件自动生成的EDA工具的开发
在利用Cadence公司的EDA工具进行基于高层次逻辑综合的自顶向下的集成电路设计时,描述标准逻辑单元时序参数的TLF文件是必不可少的.本文介绍了基于UNIX编程环境进行的一种用于TLF文件自动生成的EDA工具的开发过程.
会议
集成电路
计算机辅助设计
EDA工具
SiGe MOS器件SiO2栅介质低温制备技术研究
为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,本文采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下制备技术进行了研究.实验表明采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火,有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度.同时该技术用于SiGe PMOS研制,其300K常温和77K低温下跨导分别达到45ms/mm和92.5ms/mm.(W/L=20μm/2μm).
会议
SiO2栅介质薄膜
SiGe
SiGe MOS器件
化学汽相淀积
低温制备技术
制备工艺
SiGe/Si材料特性表征技术
本文对表征SiGe/Si异质结材料特性的测量技术X-ray双晶衍射、反射高能电子衍射、Hall测量、二次离子质谱测量等进行了较为全面的介绍,为更好地了解、掌握和评价SiGe/Si材料特性提供一定帮助.
会议
SiGe材料
材料特性
表征技术
MOS器件综合系统及其在器件分析中的应用
本文详细讨论了MOS器件综合系统的设计原理,即利用遗传算法作为核心的搜索算法,定义器件设计变量为遗传染色体,由多代的遗传操作得到综合结果.并利用本系统的综合结果分析了一个FIBMOS器件的参数对性能的影响.
会议
遗传算法
设计变量
MOS器件综合系统
设计原理
与本文相关的学术论文