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SiO2栅介质薄膜相关论文
SiGe MOS器件SiO2栅介质低温制备技术研究
为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,本文采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下制备技术进行了研......
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