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金属间化合物R<,5>Ga<,3>用作助熔剂首次生长出了毫米量级的高熔点稀土氮化物RN（R＝La，Ce，Pr）晶体，晶体均匀性很好，LaN经X射线单晶结构修正至置信因子（R因子）小于1能带计算表明LaN的禁带宽度为3．2eV。
金属间化合物R<,5>Ga<,3>作为助熔剂生长高熔点稀土氮化物RN(R=La,Ce,Pr)晶体的探索
【摘 要】
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金属间化合物RGa用作助熔剂首次生长出了毫米量级的高熔点稀土氮化物RN（R＝La，Ce，Pr）晶体，晶体均匀性很好，LaN经X射线单晶结构修正至置信因子（R因子）小于1能带计算表明LaN的禁带宽度为3
【机 构】
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大学材料科学系
【出 处】
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第三届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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1998年期
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