GaSb(100)同质外延表面形貌优化

来源 :第十二届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xujinjinjin

【作者】

：

于天刘舒曼徐波刘峰奇王占国

【机构】

：

中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,中国科学院大学材料科学与光电技术学院

【出处】

：

第十二届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2017年期

【关键词】

：

同质外延表面形貌

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

InGaAs探测器的ICPCVD氮化硅钝化工艺优化

会议

InGaAs探测器氮化硅钝化

InP基In0.83Ga0.17As探测器结构中吸收层和缓冲层的生长温度优化

会议

InP探测器结构吸收层缓冲层生长

nAs/GaSbⅡ类超晶格拓展可见到中红外宽光谱探测器

会议

nAs超晶格中红外

2μm波长高效率量子阱设计

会议

波长高效率量子阱

MBE材料组分均匀性的表征方法

会议

MBE材料组分均匀性

GeSn薄膜的MBE生长和快速退火研究

会议

薄膜MBE生长

中短波双色HgCdTe材料阻挡层生长与表征

会议

中短波双色HgCdTe材料阻挡层生长

基于电镀铜法的柔性Ⅲ-Ⅴ多结太阳电池制备

　　柔性 Ⅲ-Ⅴ 族太阳电池可以继承 Ⅲ-Ⅴ 族太阳电池超高的转换效率和卓越的空间抗辐射能力，空间和地面上应用空间更为广泛，在太阳能电池领域占领极其重要的地位。大多数 Ⅲ

会议

电镀铜柔性衬底太阳电池热膨胀系数外延层转移空间有机衬底太阳能电池

关于Si基复合衬底外延翘曲的研究

会议

复合衬底外延

高质量AlInAsSb体材料的分子束外延及其表征

会议

高质量体材料分子束外延

GaSb(100)同质外延表面形貌优化

与本文相关的学术论文