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2μm波长高效率量子阱设计
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
【出 处】
:
第十二届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
:
2017年期
其他文献
The industrial phosphoric acid produced by the wet process,includes both mineral and organic impurities,originated from the phosphate rock.Organic material
会议
InGaAs/GaAsSb Ⅱ 类超晶格是一种新型的中短波红外材料,通过调整该材料体系的材料层厚以及应变可以实现 2um 到 4um 波段覆盖。不同于高 In 组份的 InGaAs 材料,该体系的