纤锌矿AlxGa1-xN量子阱中光学声子的三元混晶效应

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chenfurongyalan

【摘要】

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纤锌矿三元混晶 AlxGa1-xN及其异质结构在发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等光电子器件方面有广泛应用,可通过改变混晶组分在大范围内调节其光电性质,并可在特定

【作者】

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屈媛宗易昕马健李冬雪班士良

【机构】

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内蒙古大学物理科学与技术学院, 呼和浩特 010021

【出处】

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中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

：

2012年期

【关键词】

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纤锌矿量子阱光学声子高电子迁移率晶体管光电性质声子相互作用声子色散关系光电子器件

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纤锌矿三元混晶 AlxGa1-xN及其异质结构在发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等光电子器件方面有广泛应用,可通过改变混晶组分在大范围内调节其光电性质,并可在特定组分下表现优良性能[1-3].电子-声子相互作用是影响半导体器件光电性质的重要机制[4].就我们所知,计入AlxGa1-xN的纵光学(LO)和横光学(TO)声子随组分变化的特殊性,细致讨论含AlxGa1-xN量子阱光学声子色散关系及静电势TMC效应的工作鲜见报道.

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