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会议论文
ONO在EEPROM和FLASH单元中的实现
ONO在EEPROM和FLASH单元中的实现
来源 :第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a1986431230xinglixue
【摘 要】
:
该文对ONO(SiO〈,2〉/Si〈,3〉N〈,4〉/SiO〈,2〉)叠层进行了实验研究,在FLOTOXEEPROM单元和FLASH单元中采用ONO作为多晶之间介质层,并讨论了ONO带来的好处及应用前景。
【作 者】
:
吴君华
吴正立
【机 构】
:
大学微电子学研究所(北京)
【出 处】
:
第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
应用前景
实验研究
单元
介质层
多晶
叠层
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该文对ONO(SiO〈,2〉/Si〈,3〉N〈,4〉/SiO〈,2〉)叠层进行了实验研究,在FLOTOXEEPROM单元和FLASH单元中采用ONO作为多晶之间介质层,并讨论了ONO带来的好处及应用前景。
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