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通过分子束外延生长ＳｉＧｅ层制成了适于集成的平面结构ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）。在３００°Ｋ下，ＨＢＴ的直流电流增益β为３０－５０，基极开路下的收集极－发射极反向击穿电压ＢＶ〈，ｃｅｏ〉为５Ｖ，特征频率Ｆ〈，Ｔ〉为１３．５ＧＨｚ。
用ＭＢＥ生长基区的平面结构ＳｉＧｅＨＢＴ
【摘 要】
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通过分子束外延生长ＳｉＧｅ层制成了适于集成的平面结构ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）。在３００°Ｋ下，ＨＢＴ的直流电流增益β为３０－５０，基极开路下的收集极－发射极反向击穿电压ＢＶ〈，ｃｅｏ〉为５Ｖ，特征频率Ｆ〈，Ｔ〉为１３．５ＧＨｚ。
【机 构】
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大学微电子学研究所(北京)
【出 处】
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第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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1999年期
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