【摘 要】
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本工作利用CVD的方法在AIN/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射(Raman Scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜具有单一的晶体取向；Raman散射谱线初步表明得到的SiC漳膜为4H型态。衬底温度过低,不利于Si、C原子选择合适的格
【机 构】
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南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京 210093
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本工作利用CVD的方法在AIN/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射(Raman Scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜具有单一的晶体取向；Raman散射谱线初步表明得到的SiC漳膜为4H型态。衬底温度过低,不利于Si、C原子选择合适的格点位置成键,外延薄膜晶体质量不高；衬底温度过高,H2的刻蚀作用和表面原子的解吸附作用增强,不利于SiC的成核生长。C/Si比过小,薄膜表面会形成Si的小液滴；C/Si比过大,薄膜中会产生Si空位形式的微缺陷。因此,我们的研究表明在AIN/Si(111)衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230-1270℃,较为理想的C/Si比值为1.3。
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