【摘 要】
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常用LCD.OLED,Touch Panel 的透明电极采用掺锡氧化铟(IndiumTinOxide),一般简称为ITO.ITO 薄膜是一种n 型半导体材料,具有较高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性.然而在对于产品的更高阶的需求,我们对于电极的需求也更高,更高的导电率需求以及高的穿透率目的：针对高阻抗的透明电极的需求,研究金属Ag 及ITO 搭配新式结构优化阻抗及穿透率研
【机 构】
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深圳市华星光电技术有限公司,广东深圳,518132
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常用LCD.OLED,Touch Panel 的透明电极采用掺锡氧化铟(IndiumTinOxide),一般简称为ITO.ITO 薄膜是一种n 型半导体材料,具有较高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性.然而在对于产品的更高阶的需求,我们对于电极的需求也更高,更高的导电率需求以及高的穿透率目的：针对高阻抗的透明电极的需求,研究金属Ag 及ITO 搭配新式结构优化阻抗及穿透率研究；不同膜厚的金属Ag 薄膜下穿透率,其然而超过400A 金属Ag 层基本不透光；得知金属的导电系数在明显优化ITO 电极,不利金属一定厚度下是不透光的,而ITO 的优势是即透光,导电系数可达需求,400A 左右 面电阻50欧姆此研究主要为针对金属及ITO 两层搭配性即达到提高导电性,也具有透光性；且ITO无需anneal 满足规格需求,简化工艺流程；而Ag 薄层,上下两层ITO 同样通过草酸既可湿蚀刻；实验通过PVD 分别镀膜ITO/Ag/ITO 此三层结构,其ITO(100～400A)的膜厚 和Metal Ag40～100A 的膜厚的至关重要,其Ag 的膜厚若太厚,直接影响到整个电极的透明性；ITO 一般为40～50 欧姆三层结构下可以达到面电阻可达10 欧姆左右,且电极为透光；且三层结构无需anneal 工艺,无需高温制程,解除许多低温制程需求.
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