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阐述SOI LDMOS功率晶体管中的自加热现象,研究了自加热效应产生的机理,在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自加热效应的方法。
SOI LDMOS功率晶体管自加热分析
【摘 要】
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阐述SOI LDMOS功率晶体管中的自加热现象,研究了自加热效应产生的机理,在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自加热效应的方法。
【机 构】
：
西安电子科技大学技术物理学院,陕西西安710071
【出 处】
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第11届全国固体薄膜会议
【发表日期】
：
2008年10期
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