【摘 要】
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根据1937个单晶硅与多晶硅太阳电池组件中裂纹的统计结果,对晶体硅硅片和电池片进行机械强度与机械振动测试,分析单晶硅与多晶硅电池片机械性能差异.并且在硅片表面用激光划
【机 构】
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中山大学东校区工学院C栋501太阳能系统研究所,广州
【出 处】
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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
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根据1937个单晶硅与多晶硅太阳电池组件中裂纹的统计结果,对晶体硅硅片和电池片进行机械强度与机械振动测试,分析单晶硅与多晶硅电池片机械性能差异.并且在硅片表面用激光划痕来模拟裂纹,进行电学性能分析,结果表明三种形式的裂纹引起单晶硅的输出功率衰减量都是大于多晶硅的,并且对角裂纹和平行于主栅线的裂纹是引起电池输出功率衰减的主要形式,初步研究了引起晶体硅电池发电量衰减差异的机理.
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