【摘 要】
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五采区由来已久,其带来的生态环境问题是中国在生态文明建设中面临的一大难题.自2015年,国家先后出台了系列文件,要求深化生态环境修复.昆明五华区石盆寺片区在《昆明市滇池流域地区五采区修复及再利用规划》中为城市郊野公园型的五采区,可根据采区的地质、立地条件、产业等因素,导入植物观赏、苗圃种植、山地自行车、攀岩、自驾露营地等旅游观光、运动休闲功能.依据郊野公园设计规范,可配置一定的管理配套设施用地.同
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五采区由来已久,其带来的生态环境问题是中国在生态文明建设中面临的一大难题.自2015年,国家先后出台了系列文件,要求深化生态环境修复.昆明五华区石盆寺片区在《昆明市滇池流域地区五采区修复及再利用规划》中为城市郊野公园型的五采区,可根据采区的地质、立地条件、产业等因素,导入植物观赏、苗圃种植、山地自行车、攀岩、自驾露营地等旅游观光、运动休闲功能.依据郊野公园设计规范,可配置一定的管理配套设施用地.同时,根据昆明市五采区修复的相关政策文件,"对适宜开发建设的郊野公园,按其平面采区面积的3％-8％的用地比例配套建设用地,可进行商业、旅游、娱乐项目的开发建设".石盆寺片区包括石盆寺、平顶山、老青山等采区,其位于昆明主城的西北高地,视线敏感性高,生态环境脆弱.本文以生态修复为前提,探寻城市郊野公园型五采区在治理与开发利用过程中的控制性详细规划编制方法.
其他文献
黄铜矿Cu(In,Ga)Se2(CIGS)太阳能电池的光电转化效率一直高于锌黄锡矿(CZTS)太阳能电池,目前,Cu(In,Ga)Se2(CIGS)的冠军效率是23.35％,主要原因归功于Cu(In,Ga)Se2(CIGS)太阳能电池具有高光学吸收系数,可调禁带宽度及良好的稳定性.
Recently,antimony chalcogenide solar cells including Sb2S3,Sb2Se3 and Sb2(S,Se)3 have obtained considerable progress with efficiency up to 7.5%,9.2%and 7.82%,respectively,and the efficiency are largel
In this study,we focus on CuPbSbS3,a natural mineral named as bournonite,as a prospective efficient solar cell absorber material.
化学浴法沉积硫化镉薄膜作为缓冲层目前已经广泛应用于薄膜太阳能电池的制备。然而，化学浴沉积法(CBD)会造成大量的有害废料，特别是Cd2+的利用率通常只有2％，限制了其工业应用的价值。
近年来,重碱元素氟化物的后沉积处理(PDTs)使CIGS 太阳电池的效率得到了大幅度提高.2013 年,Empa 对柔性衬底上低温共蒸法生长的CIGS 进行KF-PDT,使器件效率有了大幅提高,达到20.4％.
本研究工作通过磁控溅射CZTSe 四元化合物靶材,后进行纯硒化退火工艺得到CZTSe 薄膜材料,并制得了高效率的CZTSe 太阳电池[1,2].纯硒化退火工艺在H2Se(2vol.％)/Ar 混合气氛下,吸收层采用300 ℃、350 ℃、400 ℃、450 ℃、500 ℃、550 ℃、575 ℃、590 ℃C 的退火温度,目标温度持续时间5 分钟,之后对制备的CZTSe吸收层材料进行表征.
铜铟镓硒(CIGS)和碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池光电转换效率都已超过20％,但因其组成元素包含稀有贵金属及有毒元素,限制了大规模产业化生产.近几年,Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)成为铜基薄膜太阳电池的热门研究,并且CZTSSe 薄膜材料具有组成元素无毒、地壳储备丰富、光学带隙可调(1.0～1.5 eV)和高吸收系数(104 cm-1)等优点,人们期望CZTSSe 可替代CIGS,
采用溅射CIGSe 四元靶材与退火结合的制备方式制备CIGSe 组件具有大面积均匀性的优点，并且成本相对低。然而陶瓷预制膜在硒化退火过程中，表面Ga 易于向背电极方向富集，造成表面带隙降低[1]。
Se-rich CZTSSe absorbers with large grains are important contributors to the performances of CZTSSe solar cells and can be fabricated by the selenization of as-sputtered CZTS precursors.
元素掺杂在Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)太阳能电池中对于缺陷以及缺陷簇的抑制起着至关重要的作用,本文系统研究了多价Ga3+掺杂取代金属离子的机制。通过对器件进行深能级瞬态谱表征,Ga3+掺杂前后,CuZn 反位缺陷及SnZn 反位缺陷的浓度有显著下降,说明镓的引入抑制了CuZn 反位缺陷和SnZn 反位缺陷。