【摘 要】
：
因具有特殊的错开型能带结构,InAs/GaSb Ⅱ型超晶格材料在红外探测领域具有广泛的应用前景,是目前国际上的研究热点[1-3].与传统红外探测材料碲镉汞相比,InAs/GaSb Ⅱ型超晶格具有大面积均匀性好、响应波段范围宽、隧穿电流小、俄歇复合率低等优点,是制作大面积焦平面红外光电探测器的理想材料[2].
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京100871;哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,哈尔滨150001
论文部分内容阅读
因具有特殊的错开型能带结构,InAs/GaSb Ⅱ型超晶格材料在红外探测领域具有广泛的应用前景,是目前国际上的研究热点[1-3].与传统红外探测材料碲镉汞相比,InAs/GaSb Ⅱ型超晶格具有大面积均匀性好、响应波段范围宽、隧穿电流小、俄歇复合率低等优点,是制作大面积焦平面红外光电探测器的理想材料[2].
其他文献
Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition (MOCVD) has become the major technology for volume manufacturing of semiconductor structures, including light emitting diode (LED), laser diode (LD),high
随着光电子技术的不断进步和国家"十城万盏"等半导体照明示范工程的快速推进,发光二极管的应用领域和市场逐步扩大.通过近几年的努力,我国半导体照明产业发展有了很大的进步,但是在高光效、高可靠性、低成本大功率LED外延和芯片技术上相比于国外还存在一定的差距,是我国急需重点发展的研究方向之一.
The epitaxial structure of the GaN-based light-emitting devices was grown on sapphire substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system.The phosphor was coated on the GaN-based li
过去十年,由于三维GaN纳(微)米柱的优异性质及在纳米光子学和光电子学中的潜在应用,GaN纳米柱的研究引起了广泛的兴趣.对比传统的二维层状GaN结构,三维纳(微)米结构具有很多优点.首先,由于横向的小尺寸效应,生长纳米柱中的线位错密度会大大降低,直至零位错状态.
自上世纪90年代以来GaN基宽禁带化合物半导体材料和器件得到了迅猛的发展,但由于缺少GaN同质衬底材料,一直以来GaN基材料都是生长在异质衬底上.目前,商品化的GaN基材料和器件大多采用蓝宝石衬底.与蓝宝石衬底相比,Si衬底具有成本低、尺寸大、质量高、导热导电好、制备工艺成熟等优势,且有望在Si衬底上实现光电器件集成.
Energy-efficient and environmentally friendly solid-state light sources, in particular GaN-based light emitting diodes (LEDs), are currently revolutionizing an increasing number of applications, and b
基于氮化物半导体材料的紫外发光二极管(UVLED,ultraviolet light-emitting diode)在生化探测、杀菌消毒、聚合物固化、非视距通讯等领域具有广阔的应用前景,同时具有低电压,低功耗、小巧便携、绿色环保、波长易调谐等优势,代表着未来紫外光源的发展方向.
短波红外1.0-2.6 μm探测在军用、民用、航空航天等研究领域具有十分重要的意义.目前在InGaAs红外探测器结构设计中,特别是半导体光伏型红外探测器中,都采用p-i-n结构,盖层分别是p型InAsP或InAlAs,吸收层即i层是不同组分的InGaAs,n层是InP衬底,探测范围是由盖层和吸收层材料的禁带宽度决定的.
In this study, the ultraviolet light-emitting diode (UV-LED) with an un-doped Al0.23Ga0.77N electron-blocking layer (EBL) between the p-type doped Al0.23Ga0.77N EBL and last barrier was proposed.The U
At present, significant research effort around the globe is now being devoted to reducing production costs while maintaining the brightness and efficiency of GaN based devices.Since the first demonstr