【摘 要】
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Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition (MOCVD) has become the major technology for volume manufacturing of semiconductor structures, including light emitting diode (LED), laser diode (LD),high
【机 构】
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Nanometrics Inc., 1320 SE.Armour Dr.Ste.B2, Bend Oregon, U.S.A.
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Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition (MOCVD) has become the major technology for volume manufacturing of semiconductor structures, including light emitting diode (LED), laser diode (LD),high electron mobility transistor (HEMT), and other electronic or opto-electronic devices.
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自组织氧化硅微米球作为选择性生长的掩膜来减少GaN外延层中的穿通位错已经得到证明[1].本文使用变尺寸的亚微米球作为选择性生长的掩膜来减少GaN外延层中的穿通位错.首先由MOCVD在C面蓝宝石衬底上外延1.2微米的GaN,并在GaN上旋涂一层聚苯乙烯.
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