【摘 要】
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In this study, the ultraviolet light-emitting diode (UV-LED) with an un-doped Al0.23Ga0.77N electron-blocking layer (EBL) between the p-type doped Al0.23Ga0.77N EBL and last barrier was proposed.The U
【机 构】
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Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taiwan
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In this study, the ultraviolet light-emitting diode (UV-LED) with an un-doped Al0.23Ga0.77N electron-blocking layer (EBL) between the p-type doped Al0.23Ga0.77N EBL and last barrier was proposed.The UV-LED structure was shown in Fig.1(a).
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