【摘 要】
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结合内转换电子Mossbauer谱(CEMS)和微磁学模拟对直径为60nm和300nm的铁纳米线阵列进行了端面磁矩分布鞋的研究.内转换电子Mossbauer谱观察表明,位于纳米线阵列端面,磁矩偏离
【机 构】
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兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室(兰州)
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结合内转换电子Mossbauer谱(CEMS)和微磁学模拟对直径为60nm和300nm的铁纳米线阵列进行了端面磁矩分布鞋的研究.内转换电子Mossbauer谱观察表明,位于纳米线阵列端面,磁矩偏离纳米线的长轴方向分布,而且直径越大,平均偏角也增大.另外,用微磁学模拟方法对不同深度的磁矩分布做了数值统计,结果表明,越趋近两端,平均磁矩与纳米线轴的夹角越大,同时和实验结果吻合得很好.
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