论文部分内容阅读
本文通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验，比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性，对其响应差异进行了较深入的机理研究，并由此探讨了54HC电路的抗辐射能力测试方法和评判标准.
CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较
【摘 要】
：
本文通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验，比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性，对其响应差异进行了较深入的机理
【机 构】
：
中国科学院新疆理化技术研究所 新疆 乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院 北京 10080
【出 处】
：
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
：
2009年期
其他文献
九十年代初日本泡沫经济崩溃之后,日本银行体系饱受不良债权的困扰,许多商业银行不敢再轻易发放贷款,形成了“惜贷”的状况.当间接融资不能顺畅运转时,企业自然将目光投向直
采用10keVX射线辐射研究了注硅二氧化硅的总剂量辐射特性。用光致发光谱研究样品的纳米结构及其与辐射特性的关系。作为对比，还研究了氩离子注入二氧化硅样品的总剂量辐射特性
会议
20世纪制造业的发展不仅表现在科学技术进步上,还表现在生产管理技术发展和生产管理模式创新方面.本世界生产管理的技术发展和模式创新可以归结为两次生产管理“革命”:一是2
高科技企业是知识经济的领头羊 ,也是世界第五次兼并浪潮的主角.高科技企业围绕知识资源的获取、积累和运用进行了大规模的兼并 ,出现了许多新的特点 ,涌现了许多企业战略的
研制了一种与0.1μmSOICMOS工艺兼容的射频PDSOINMOSFET，并分析了电离总剂量辐照对四种不同结构射频器件的静态特性和频率特性的影响，分别包括前/背栅阈值、泄漏电流、跨导，输出
会议
区域经济发展是我国国民经济发展的组成部分.改革开放以来,以优先发展特区、沿海开放城市为特点的经济政策的实施对我国经济的高速发展起到了十分重要的推动作用.政策倾斜使
四、扩展的莫布雷模型扩展的莫布雷模型结合了前面几种模型的内容,试图尽可能全面地捕捉影响雇员流出的各类复杂因素.尽管任何单一的研究不可能包容和解决这一综合性问题,但
本文研究了两种典型的电子元器件：晶体管和三端稳压器在中子辐照下不同中子注量的敏感参数的分布变化.结果表明，中子辐照下晶体管的直流放大倍数的分布可以用对数正态分布得到
作为当今头号经济大国的美国,近年来在节能方面进展显著,而这离不开政府的政策指导.深入研究美国的节能政策,对于我国经济的可持续发展也具有十分重要的借鉴意义.环境保护日