【摘 要】
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采用10keVX射线辐射研究了注硅二氧化硅的总剂量辐射特性。用光致发光谱研究样品的纳米结构及其与辐射特性的关系。作为对比，还研究了氩离子注入二氧化硅样品的总剂量辐射特性
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
【出 处】
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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采用10keVX射线辐射研究了注硅二氧化硅的总剂量辐射特性。用光致发光谱研究样品的纳米结构及其与辐射特性的关系。作为对比，还研究了氩离子注入二氧化硅样品的总剂量辐射特性和微观结构。结果表明，硅离子注入及后续退火工艺可以大人降低电离辐射引起的二氧化硅内部正电荷积累及其导致的平带电压飘移。离子注入抑制电离辐射的作用被主要归因于硅纳米结构的形成。氩离子注入也有一定的抑制作用，但与硅注入不同的是，这种效果与氩离子注入的剂量关系甚微，可能与复合中心的增加有关。
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