论文部分内容阅读
本文采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有良好C轴取向的附有和没有ITO缓冲层的ZnO薄膜。文章探讨了氧偏压的影响,着重研究了ITO缓冲层对ZnO薄膜紫外荧光的作用。研究发现，ZnO薄膜紫外荧光的峰强随激发功率的增大而增强,并且峰位发生红移,峰强随测量次数大幅增强.分析了产生这些现象的原因。