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本文主要介绍将H<+>离子注入到高阻单晶硅片后再与另一硅片键合并进行热处理形成SOI(silicon on insulator)材料.利用该SOI材料,在其SiO<,2>薄膜上面的硅薄膜上制造硅磁敏三极管,为硅磁敏三极管的制造提供一种新的工艺.
SOI材料在硅磁敏三极管制造中的应用
【摘 要】
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本文主要介绍将H离子注入到高阻单晶硅片后再与另一硅片键合并进行热处理形成SOI(silicon on insulator)材料.利用该SOI材料,在其SiO薄膜上面的硅薄膜上制造硅磁敏三极管,为
【机 构】
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敏感技术研究所,黑龙江大学(黑龙江哈尔滨)
【出 处】
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第八届敏感元件与传感器学术会议
【发表日期】
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2003年期
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