几种纳米尺寸金属结构增强单量子点荧光辐射的研究

来源 :第十九届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ttjjww1129
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量子点(QD)和纳米金属结构之间的耦合近几年来已经成为研究的热点问题[1-2],纳米金属结构能够局域化电磁场的能量,从而提高激发场或者发射场.
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ZnO doped with Sn is considered to be the transparent electrode with the potential possibility to replace In2O3 doped with Sn [1].
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作为第三代宽禁带半导体器件,AlGaN/GaN器件具有耐高压、高频、导通电阻小等优良特性,有望被广泛应用于电力电子器件以及微波功率器件并表现出卓越性能[1].
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ZnMgO因具有高透过率、带隙较宽且连续可调等特点,是CIGS太阳电池缓冲层的理想材料,制备高质量的ZnMgO薄膜是提高电池效率的关键[1-2].
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在固态照明领域,GaN基LED因其广阔的应用前景获得了人们的关注.但是,LED器件的外量子效率随着电流的增大而降低,即Efficiency droop现象,是发展大功率LED芯片的一个重要障碍.
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