射频溅射生长ZnMgO薄膜的特性研究

来源 :第十九届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wjh901223
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
ZnMgO因具有高透过率、带隙较宽且连续可调等特点,是CIGS太阳电池缓冲层的理想材料,制备高质量的ZnMgO薄膜是提高电池效率的关键[1-2].
其他文献
闪锌矿结构的GaAs量子阱是当今自旋电子学领域最为重要和研究最为广泛的材料之一.一方面由于GaAs量子阱生长工艺相对成熟,另一方面由于这种材料具有中心反演不对称性,其自旋-轨道场会引起导带电子能量的劈裂.
会议
利用自旋光电流实验研究了室温下InN薄膜的逆自旋霍尔效应(RSHE).研究了InN薄膜中体反演非对称和基于表面电场的结构反演非对称导致的RSHE.
会议
我们研究了Si调制掺杂的阱宽分别为10nm和15nm的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品在平行于量子阱平面内的平行磁场中的反弱局域效应.
会议
磁光光谱是表征磁性材料能带结构的有力手段,主要包括磁圆光二向色性谱(MCD)、克尔旋转谱(Kerr rotation)和法拉第旋转光谱(Faraday rotation).
会议
碲化铟(In2Te3)是一种重要的直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度1.19 eV,Ⅲ-Ⅵ族化合物.其一维纳米材料具有对较宽光谱范围(紫外-可见-近红外)的光电响应,在光电探测、气体检测、太阳能电池等领域有很好的应用前景.
会议
以PbTe为代表的Ⅳ-Ⅵ族半导体在中红外波段(3-5μm)光电器件和中温(600-900K)热电器件中有着广泛的应用前景[1].PbTe材料中形成的纳米结构对提高光电性能和热电性能具有重要的影响[1,2].
会议
ZnO doped with Sn is considered to be the transparent electrode with the potential possibility to replace In2O3 doped with Sn [1].
会议
相变存储(Phase-Change Memory, PCM)材料GeSbTe (GST)因其亚稳晶相与非晶相之间存在显著光/电特性差异并且在外场(激光、电脉冲)激励下能实现高速可逆相变,所以在光存储和下一代非挥发电子存储中展现出广阔应用前景.
会议
GaN基宽禁带半导体材料由于具有良好的光学和电学特性,是制备紫外光探测器件的优选材料.氢化物气相外延(HVPE)生长技术由于其低成本、高生长速率是目前制备GaN厚膜的主要方法之一.
会议
作为第三代宽禁带半导体器件,AlGaN/GaN器件具有耐高压、高频、导通电阻小等优良特性,有望被广泛应用于电力电子器件以及微波功率器件并表现出卓越性能[1].
会议