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ZnO doped with Sn is considered to be the transparent electrode with the potential possibility to replace In2O3 doped with Sn [1].
The properties of reactive co-sputtering deposited Zn1-xSnxO thin films
【摘 要】
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ZnO doped with Sn is considered to be the transparent electrode with the potential possibility to replace In2O3 doped with Sn [1].
【机 构】
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深圳大学物理科学与技术学院及深圳市传感器技术重点实验室,广东深圳518060
【出 处】
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第十九届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2013年2期
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