【摘 要】
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The capabilities to tune the conduction properties of materials by doping or electric fields are essential for the design of electronic devices.However,in two dimensional materials,due to the absence
【机 构】
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Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences,Beijing,100190,China
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The capabilities to tune the conduction properties of materials by doping or electric fields are essential for the design of electronic devices.However,in two dimensional materials,due to the absence of reliable substitutional doping techniques,surface charge transfer is one of the few ways to control whether the conduction is dominated by holes or electrons.Here we demonstrate that a capping layer of cross-linked polymethyl methacrylate(PMMA)modifies the potential in a black phosphorus(BP)layer so that conduction in the absence of an external electric field is dominated by electrons,rather than holes.Using this technique to form adjoining regions dominated by hole and electron conduction,a family of planar devices,such as BP gated diodes,BP barristors,and BP logic inverters,can be fabricated.The devices are potentially useful for electronic applications,including rectification and switching.
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