【摘 要】
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本工作通过氢化和Ce3+掺杂来增强硅纳米晶(Si-NC)的光增益.实验采用VSL方法测量光增益.在脉冲泵浦光功率密度为0.3 W/cm2时,发现有Si-NC光增益,同时,在对Si-NC做了氢化或/和
【机 构】
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复旦大学,光科学与工程系,上海超精密光学制造工程中心,上海200433
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本工作通过氢化和Ce3+掺杂来增强硅纳米晶(Si-NC)的光增益.实验采用VSL方法测量光增益.在脉冲泵浦光功率密度为0.3 W/cm2时,发现有Si-NC光增益,同时,在对Si-NC做了氢化或/和当Ce3+掺杂处理后,光增益得到增强,所获得的光增益从85.68到335.11 cm-1;光致发光(PL)寿命随光增益或PL.强度的增强而减小.在泵浦光功率密度为0.04 W/cm2时,没有Si-NC光增益,PL寿命随PL强度的增强而增加.光增益的增强来自氢化后光损耗的减小以及Ce3+掺杂后能量传递导致的Si-NC光激发增强.
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