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自二十世纪六十年代硅功率晶体管问世以来，供制造高反压功率晶体管和电力电子器件用的N-/N+、P-/P+、N-/P+型硅重掺杂扩散衬底片的生产和制造器件应用得到长足进展。尤其是有关硅中半导体扩散杂质源的研制开发、半导体杂质在硅扩散结区的浓度优化分布、半导体扩散工艺技术革新、硅衬底扩散片的结构创新和市场开拓等工作，为半个世纪来功率晶体管及电力电子器件的大量涌现和推广应用奠定了坚实基础。本文概述重掺杂硅衬底片的发展史，并对与重掺杂硅衬底扩散技术有关的专利技术作以介绍。