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本文利用Hitachi 9500环境透射电镜对18H-碳化硅颗粒在1.1×10-2Pa氧气气氛中从室温到1300℃的氧化过程进行了研究，其中900℃以上超过30min。
碳化硅氧化过程的原位观察
【摘 要】
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本文利用Hitachi 9500环境透射电镜对18H-碳化硅颗粒在1.1×10-2Pa氧气气氛中从室温到1300℃的氧化过程进行了研究，其中900℃以上超过30min。
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程系,浙江大学电镜中心,浙江杭州310027
【出 处】
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2012年全国电子显微学学术会议
【发表日期】
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2012年9期
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