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采用脉冲反应和同位素示踪技术,比较了CH4的部分氧化及其与H2O和CO2的重整等反应对Rh/SiO2和Rh/Al2O3催化剂床层氧化区内CO和H2生成的相对贡献。实验结果表明,CH4的直接解离以及表面碳物种的部分氧化是氧化区内合成气的生成主要途径。
Rh/SiO2和Rh/Al2O3上甲烷部分氧化制合成气反应的同位素示踪研究
【摘 要】
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采用脉冲反应和同位素示踪技术,比较了CH4的部分氧化及其与H2O和CO2的重整等反应对Rh/SiO2和Rh/Al2O3催化剂床层氧化区内CO和H2生成的相对贡献。实验结果表明,CH4的直接解离以及表面碳物种的部分氧化是氧化区内合成气的生成主要途径。
【机 构】
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厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室,醇醚酯化工清洁生产国家工程实验室,化学化工学院化学系,福建厦门 361005
【出 处】
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第十六届全国催化学术会议
【发表日期】
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2012年11期
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