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InAs/GaSb超晶格材料是目前唯一理论上性能超越碲镉汞的红外探测器材料,被公认为制备第三代红外探测器的优选材料.利用分子束外延技术在(100）GaSb衬底上生长了超晶格材料,通过优化去氧化层工艺、缓冲层生长优化,获得极高质量的缓冲层材料,表面明显的台阶流显示了GaSb呈理想的二维生长模式.并继续通过优化生长参数,在缓冲层上生长了高质量的InAs/GaSb超晶格材料,解决了由应变引起的缺陷难题,将缺陷密度降到400/cm2以下.通过高分辨X射线衍射仪测得超晶格材料的多级卫星峰,-1级卫星峰半峰宽小于17arcsec,显示了材料良好的界面质量.最后通过制备焦平面阵列验证了材料的性能,验证芯片规格为128×128,平均峰值探测率达8×1010cm.Hz1/2/w,并获得清晰成像.