【摘 要】
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In this talk, we shall present results of epitaxial growth of single domain Bi2Se3(111) films by molecular-beam epitaxy and unveil the roles played by the l
【机 构】
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PhysicsDepartment,TheUniversityofHongKong,PokfulamRoad,HongKong
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In this talk, we shall present results of epitaxial growth of single domain Bi2Se3(111) films by molecular-beam epitaxy and unveil the roles played by the lattices of the substrates.Particularly,contrary to the belief that a substrate with van der Waals (vdW) surface is preferable for growth of the layered materials such as Bi2Se3, a covalent substrate surface may turn out to be beneficial to achieving single domain films.Examples include InP(111)A and GaAs(1 11)A surfaces, on which we routinely obtain single domain Bi2Se3(111) as evidenced by electron diffraction and scanning tunneling microscopy measurements.
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