表面等离激元效应增强的硫化钼光致发光

来源 :第十九届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:JK0803_wantao
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  MoS2,一个层状的准二维硫化物材料[1],它的电学[2]和光学[3]的特性一直备受人们的关注.尤其是单层的硫化钼是直接带隙半导体,在发光领域将得到很好应用.我们的单层和多层硫化钼样品是从块状硫化钼上剥离,将其制备在具有300nmSiO2氧化层的硅片衬底上,并通过原子力显微镜(AFM)和拉曼散射来分析它的层数.室温下得到了不同层数的光致发光谱,发光峰值在630nm和680nm附近分别来自于自A1、B1的自旋轨道能能级分裂[3].表面等离效应通常用来增强发光[4],我们合成了共振吸收峰在不同波段的纳米小球,通过匀胶机旋涂的方法,将金属(Ag,Au)纳米颗粒尽可能均匀的铺在硫化钼样品表面,并且通过改变转速和时间来改变纳米颗粒在样品表面的密度.通过实验测量,相应的共振峰在514nm左右,对应于光泵浦激光波长,使得单层硫化钼的光致发光谱的主峰强度增大了约30倍(Fig.1).
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