【摘 要】
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目前,横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)己成为功率集成电路(PIC)领域最有潜力的器件之一。然而,硅材料功率器件的特性己逐渐达到物理极限。本论文中,我们提出一种绝缘槽势
【机 构】
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北京大学深圳研究生院信息工程集成微系统科与应用重点实验室
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目前,横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)己成为功率集成电路(PIC)领域最有潜力的器件之一。然而,硅材料功率器件的特性己逐渐达到物理极限。本论文中,我们提出一种绝缘槽势垒(TB)结构,通过在器件漂移区靠近发射极的位置添加这一结构进步改善性能尤其是导损耗和开关耗之间的折中关系。这种绝缘槽势垒结构可以增强电子注入,在保持其他特性不变的条件下,降低导通损耗。此外,TB结构可以和槽栅同时完成,不会增加工艺成本和工艺的复杂性。因此,TB结构在未来的功率电子技术和应用中会带来更广阔的市场。
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