【摘 要】
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本文采用在真空蒸镀的Cu薄膜上喷雾热解InCl3和SC(NH2)2前驱液的方法,制备出CuInS2(CIS)薄膜.通过X射线衍射、紫外-可见分光光度计、扫描电子显微镜和霍尔效应测试仪等仪器对薄膜进行了表征.研究表明,该方法制备出的CIS薄膜,表面均匀且无裂纹缺陷,薄膜内不存在CuXS、In2O3、In2S3等杂相.CIS薄膜为黄铜矿结构,其结晶性能受制备过程中Cu薄膜厚度的影响,Cu含量较多时,薄
【机 构】
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中国工程物理研究院,四川绵阳,621999
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本文采用在真空蒸镀的Cu薄膜上喷雾热解InCl3和SC(NH2)2前驱液的方法,制备出CuInS2(CIS)薄膜.通过X射线衍射、紫外-可见分光光度计、扫描电子显微镜和霍尔效应测试仪等仪器对薄膜进行了表征.研究表明,该方法制备出的CIS薄膜,表面均匀且无裂纹缺陷,薄膜内不存在CuXS、In2O3、In2S3等杂相.CIS薄膜为黄铜矿结构,其结晶性能受制备过程中Cu薄膜厚度的影响,Cu含量较多时,薄膜的结晶性良好,双层结构的CIS薄膜具有较好的结晶性.CIS薄膜可见光范围内吸收系数达到105cm-1.厚度506nm的CIS薄膜的禁带宽度为1.54eV,电阻率和载流子浓度分别达到10-1Ωcm和lO19 cm-3,为p型半导体薄膜.
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