智能变电站辅助系统综合监控平台优化建设

来源 :中国电机工程学会第十二届青年学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:happyfen
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  通过对变电站辅助系统综合监控平台的优化改造,把原有变电站相对独立的各个辅助子系统进行了有效地整合,在一体化综合监控平台上完成了多个系统的权限统一控制、资源统一共享、数据统一管理。实现了多系统的统一管理和联动。实现最大限度挖掘系统潜力,最大程度提升管理品质的目的和要求。
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利用模拟软件Apsys对GaN基发光二极管(Light Emitting Diode,LED)中的载流子分布和输运进行模拟计算,研究如何改善LED中的效率下降(efficiency droop)问题。采用变化的垒层厚度形成非对称量子阱结构,代替传统的均匀多量子阱作为激光器的有源区。
本文研究了在退火气氛中掺入氧气对p-GaN 激活的影响。当样品在750℃,退火气氛为N2:O2为4:1时得到最小的电阻率。实验表明在纯N2退火气氛中掺入氧气,能更有效率地减少钝化p-GaN中Mg受主的氢的含量。虽然在更高的温度下,掺氧退火能进一步减少样品中氢的含量,但是更多的氧会掺入样品形成与氧有关的受主,最终导致p-GaN样品的电阻率增加。
采用磁控溅射技术制备了AZO(ZnO:Al)、ITAZO(InSnZnAl 氧化物)薄膜以代替ITO 透明导电玻璃.制备了系列NiO、CrOX、MoO3 无机氧化物p 型薄膜材料,以代替昂贵的空穴传输层PEDOT:PSS进口材料.实现了常温化制备ITAZO透明导电膜和p-NiO 薄膜,这为大面积、低成本柔性太阳能电池的产业化打下了坚实的基础.制备的FTO/MoO3/P3HT:ICBA/LiF/Al
会议
本文通过化学气相沉积(CVD)方法在多晶铜箔上进行石墨烯的生长,并通过改变甲烷与氢气流量比例和生长温度对石墨烯的成核与生长机理展开了研究。不同的氢气流量比例和生长温度下,生长后在平整的铜箔表面都形成了岛状形貌。当生长温度一定,随着氢气流量比例的上升,石墨烯小岛的尺寸越来越小,密度也越来越小。
利用磁控溅射技术在Nb 掺杂的SrTiO3单晶(NSTO)衬底上分别沉积了金属Ag 和Ti,并研究了Ag/Nb:SrTiO3/Ti 结构的阻变行为以及温度对该结构阻变行为的影响。研究结果发现,Ti与衬底为欧姆接触,Ag/Nb:SrTiO3/Ti 结构表现出了稳定的多级阻变行为,通过施加不同的电压,可以得到不同的阻态。
由于高单色性场发射枪和校正器在透射电子显微镜上的应用,使电子束在高亮度、高相干成像中可达到0.5 埃的原子分辨率.更有意义的是当电子束小于1 埃时,仍具有足够的强度成像和收集能谱,可实现在逐点扫描的非相干模式下,通过暗场高角接收器得到原子分辨率的透射像.
会议
基于巨磁电阻(GMR)效应的磁性金属纳米多层膜和基于隧穿磁电阻(TMR)效应的非晶氧化铝(Al-O)或单晶氧化镁MgO(001)势垒自旋阀式磁性隧道结(MTJ)多层膜,是目前制备和生产100~1000 Gbit/inch2高密度磁存储硬盘中磁读头以及各类磁电阻磁敏传感器(包括各种磁场传感器、磁场梯度传感器、电流传感器、速度和加速度传感器、电子罗盘、磁敏助听器、磁敏生物传感器、磁防伪和磁识别传感器)
会议
以锆钛酸铅(Pb(ZrxTi1-x)O3:PZT)薄膜为代表的铁电陶瓷薄膜具有优良的铁电、压电、光电和介电等性能,使其在铁电存储器、薄膜电容器和微机电系统(Microelectro-mechanical systems:MEMS)等领域具有广泛的应用前景。目前,已有多种制备PZT 等铁电陶瓷薄膜的方法,其中包括磁控溅射和脉冲激光沉积等物理方法,以及溶胶-凝胶法和化学气相沉积等化学方法。
本文以硝酸镧和硝酸铝为原料,乙酰丙酮和丙三醇为添加剂,乙醇为溶剂配置了LaAlO3 溶胶,采用溶胶-凝胶法在LaAlO3 单晶衬底上制备LaAlO3 薄膜作为过渡层,再在其上制备YBCO高温超导薄膜,由于过渡层有效地改善了单晶体的表面状态,与没有过渡层的YBCO 相比,添加适当厚度的过渡层能有效提高YBCO 高温超导体的临界电流密度,并使超导临界温度有所提高。
当电力系统飞速发展,二次系统日益庞大、完善时,潜在的隐患也正在向电力系统的稳定发起新的挑战。二次系统是电力系统的重要基础设施,安全防护的首要目标是抵御黑客、病毒等通过各种形式对系统发起的恶意破坏和攻击,特别是能够抵御集团式攻击,防止由攻击导致的一次系统的事故以及二次系统的崩溃,其次是防止未授权用户访问系统或非法获取信息和侵入以及重大的非法操作。防火墙产品部署在各安全区之间,所有的访问都将通过防火墙