GaN基激光器相关论文
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垂直腔表面发射激光器(VCSEL)相比于传统的边发射激光器(EEL)具有低阈值电流和高速直接调制等优点,然而VCSEL中电子阻挡层(EBL)存......
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作......
<正>Aresearch team led by YANG Hui and CHEN Lianghui with the CAS Institute of Semiconductors (ISCAS)has made breakthrou......
采用LASTIP软件研究了InGaN/GaN（In组分为15%）量子阱垒层和阱层厚度对GaN基蓝紫光激光器性能的影响及机理.模拟计算结果表明,当阱层......
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分......
随着半导体材料生长技术和器件制作工艺的发展,大功率GaN基半导体激光器已实现商业化,其在许多领域都具有重要应用。但普通边发射......
