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利用一个ＭＯＳ场效应管和一个结型场效应管的复合模型，来模拟漏极带有缓冲区的高压场效应晶体管的Ｉ／Ｖ特性，以常规器件模型解决特殊器件结构的问题，为研究标准ＭＯＳ工艺下高压器件的Ｉ／Ｖ特性提供一种方法，文中给出了这种器件参数的提取过程，并给出了ＳＰＩＣＥ的模拟结果。
高压CMOS器件IV特性的模拟
【摘 要】
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利用一个ＭＯＳ场效应管和一个结型场效应管的复合模型，来模拟漏极带有缓冲区的高压场效应晶体管的Ｉ／Ｖ特性，以常规器件模型解决特殊器件结构的问题，为研究标准ＭＯＳ工艺下高压器件的Ｉ／Ｖ特性提供一
【机 构】
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理工大学
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议
【发表日期】
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1997年期
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