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本设计中，采用对多晶硅进行不完全干法刻蚀的方法制备黑硅，并将此作为MEMS红外光源的辐射层材料，提高了光源在中红外波段的发射率。另外，本设计采用独特的完全悬浮结构，降低了光源通过热传导的能量损耗。对比现有的MEMS红外光源，本设计拥有完全的悬浮薄膜结构，保证了光源拥有更低的功耗，更高的辐射效率。另外，黑硅的使用将进一步提高光源的稳态和动态性能。