某多层钢框架工业厂房结构设计

来源 :第四届建筑结构抗震技术国际会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:laowu000001
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
在探讨某钢框架厂房结构形式和结构布置的基础上,深入研究了钢框架工业厂房荷载及内力计算、吊车梁的设计要点与方法.着重介绍了转换桁架的设计与计算.指出随着现代工业的快速发展,重型及超重型设备的需求不断增加,与之相应的大跨度、大柱距、大吨位工业厂房也应运而生。对于高大厂房,为保证其结构稳定,采用钢框架结构形式将越来越普遍。
其他文献
本文提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1700V/100A高压大电流的NPT-IGBT.击穿电压达1800 V以上,栅发射极漏电流小于80 nA、关断时间小于800 nS、关断功耗小于30mJ,都达到设计要求.导通压降3.5V(略高),可通过增大芯片尺寸的方法加以改进(与国外同类产品相比,目前芯片尺寸偏小).
随着集成电路产业的迅猛发展,器件制造商对IC级硅单晶材料提出了更加严格的要求.而大直径单晶硅是制备器件所必须的衬底材料.由于单晶炉体内的高温环境以及高昂的实验成本使得研究人员很难直接观察到硅单晶生长过程中熔体的流动情况.而数值模拟技术是优化大直径硅单晶生长过程的有效工具,因此本文利用有限元方法计算在大尺寸坩埚中熔体的流动情况.数值模拟结果表明,随着晶体转速的增加,固/液界面的形变量逐渐增加,而加热
本文报道使用热壁CVD生长系统在4英寸、4°偏角衬底上进行的4H-SiC p-型掺杂与GTO晶闸管器件所需的pnpn材料结构生长.在30 μm/h的平均生长速率条件下,4H-SiC外延层的平均背景掺杂浓度小于5.0×1013 em-3,利用SIMS测试方法,对于不同Al原子浓度的掺杂与控制进行了测试与分析,最低和最高p-型掺杂浓度分别为5.3×1015cm-3和1.5×1019em-3;采用SIM
本文对现有八氟环丁烷的用途和纯化工艺进行简述,并介绍了公司自主研发的纯化工艺,采用精馏-吸附相结合的工艺,产品符合半导体行业使用要求.
本文设计了一种用于2.4-2.484 GHz和5.15-5.825 GHz无线局域网(WLAN)的平面柔性天线。采用厚度为127μm的聚酞亚胺薄膜作为天线的印制板,利用电容加载的单极子天线结构,使天线获得了柔性和双频宽带的性能。整个天线被10μm厚度的Parylene-C保护薄膜所覆盖。实验结果表明,该天线在工作频带内的回波损耗小于10 dB,具有较好的全向辐射特性;在弯曲的情况下,该天线的特性基
本文设计了一种应用于粒子探测器的低噪声模拟前端电路.该电路主要由电荷灵敏前置放大器(CSA)和成形器(shaper)组成,实现对探测器输出电荷信号放大和滤波.为了提高粒子探测器的能量甑别范围,本设计采用两级CSA结构,并且可以切换成一级CSA结构.增益可在3.5mV/fC和60mV/fC之间切换,以满足不同能量大小的信号探测.在探测器电容小于9pF的范围内,两种结构的等效噪声电荷(ENC)都低于2
本文选取了两究所的Co60y射线源环境中对两款器件进行不同剂量率条件下的辐照试验。通过研究发现:BiCMOS工艺DAC的剂量率效应不同于传统单一工艺DAC,本次研究中的两款样品的功能参数及功率参数均表现出了潜在的低剂量率损伤增强效应,这有别于传统CMOS工艺DAC表现出的时间相关效应,但这种增强效应与传统双极工艺DAC相比要有所缓和.这一剂量率效应与BiCMOS工艺DAC的工艺特征密切相关,具体的
提出一种耗尽型沟道新型超势垒整流器(Depletion Channel Super Barrier Rectifier, DC-SBR).实验测试结果表明,对于60V的低压应用,与肖特基整流器(Schottky)相比,该新型整流器具有更低的正向压降、更小的反向漏电、更好的高温稳定性.
贵阳市某超高层办公楼结构高度177.1m,采用基于梁柱塑性铰和剪力墙纤维模型的MIDAS Building软件对结构进行罕遇地震作用下动力弹塑性时程分析.计算结果表明,结构在大震作用下的弹塑性反应及破坏机制,符合结构抗震工程的概念设计要求,达到了“大震不倒”的抗震设防要求。
以钢筋混凝土构件中的预埋钢筋为研究对象,根据现场海洋区域环境自然暴露法和实验室加速腐蚀法,建立了基于海洋环境的钢筋锈蚀率的分析模型,旨在对钢筋混凝土构件中钢筋的锈蚀情况进行宏观、定量的评定和预测.通过对锈蚀钢筋混凝土构件进行破型取样,测定了不同暴露环境下的钢筋锈蚀率,分析了钢筋直径、混凝土保护层厚度、混凝土强度等有关因素对钢筋锈蚀率的影响,最后给出了海工混凝土构件中的钢筋锈蚀率的数学模型;同时统计