【摘 要】
：
We have successfully employed metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) to simultaneously deposit double-sided YBa2Cu3O7-δ (YBCO) films on both sides of Y2O3/YSZ/CeO2 (YYC) buffered biaxially te
【机 构】
：
State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices,University of Electronic Science
【出 处】
：
2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件
论文部分内容阅读
We have successfully employed metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) to simultaneously deposit double-sided YBa2Cu3O7-δ (YBCO) films on both sides of Y2O3/YSZ/CeO2 (YYC) buffered biaxially textured Ni-W substrates, which is of great prospects to cut the production cost of YBCO coated conductors.X-ray diffraction (XRD) analysis revealed that the double-sided YBCO films were purely c-axis oriented and highly textured.The ω-scan of (005) YBCO and φ-scan of (103) YBCO yielded full width at half maximum (FWHM) values of 4.9° and 6.6° for one side of the double-sided YBCO films, respectively, as well as 4.4° and 6.4° for the other side.The current transportation measurements performed on such double-sided 500nm-thickness YBCO films showed the self-field critical current density (Jc) at 77K of 0.4MA/cm2 and 1.0MA/cm2, respectively.The work to improve the Jc is in process.
其他文献
运算放大器是信号处理中的基础模块,随着系统复杂度的增加,低功耗和高性能的基础电路模块成为系统发展的瓶颈,因此,对增益和带宽增强型运算放大器的研究成为业界关注的焦点.本文对电流重用技术的产生背景和技术演进作了较为详细的分析,体现了在技术进步过程中对结构的优化和改进,并进行了统一对比分析,说明了各种结构的优劣和差异,为高性能系统集成技术提供参考.
为了提高单相功率因数校正变换器的动态调节性能,本文提出并设计了一种新的数字控制器.数字控制器的数字电流控制环路仅采样功率因数较正变换器的输出电压和输入电流,而无输入电压采样,从而简化控制环路设计和降低环路的数字运算延时;同时自适应环路调节方法被提出应用于电压控制环路设计,提高变换器稳态调节能力和动态调节性能.集成基于现场可编程门阵列数字控制器的单相功率因数校正变换器被设计实现.在宽输入电压和输出负
本文提出一种对工艺不敏感的自校正带隙基准技术,自校正技术提高了带隙基准的初始精度.由于工艺的变化,各元器件失配所造成的失调电压,被一个6位的寄存器修调阵列平均化,修调所需的码由电路自身产生.通过自校正,该带隙基准的3σ精度从±12.6％减少到±1.0％.该电路的功耗为43.5uW,面积为0.025mm2,采用标准的65nm IP6M CMOS工艺.
编程成功率是阻变存储阵列可靠性的重要方面.本文采用1KblT1R阵列系统研究了晶体管的衬偏效应对Cu/HfO2/Pt阻变存储器编程成功率的影响.在forming过程中,晶体管和阻变存储器都具有一定的电压降,因此晶体管源漏两端端电压被抬高,晶体管产生衬偏效应,阈值电压增大.当晶体管的阈值电压大于所加栅压时,晶体管被截止,流经阻变存储器的电流被限制,无法被编程至低阻态.实验发现,将forming电压控
本文主要从材料的选取、器件的结构和工作机理等三部分展开讨论，并对有机单晶发光场效应晶体管存在的问题和未来进行了分析和展望。
本文基于600V体硅外延BCD工艺,完成了一款浮栅驱动芯片的设计.为了增强隔离结构的可靠性,本文提出了一种新型的P型阱、N型阱交替排列的隔离结构,该隔离结构耐压为740V,相对于传统结构增加了7％,当LDMOS漏端电位大于1V,且漏端与高侧电压差为15V时的漏电远小于lμA,满足芯片应用要求.此外,为了增强浮栅驱动电路的抗噪性能,提出了一种新型的抗dV/dt噪声电路,相比于使用滤波宽度为70ns滤
本文详细研究了绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件的热载流子退化机理.首先,通过对不同应力条件下器件的热载流子退化趋势和退化量的研究,发现横向绝缘栅双极型器件的最坏应力可以用结构和浓度分布相同的横向双扩散金属氧化物半导体管的峰值衬底电流来评估.对器件静态应力条件下的热载流子退化进行了实验,并借助软件仿真分析了器件的退化杌理,研究发现,器件的热载流子退化主要发生在鸟嘴区,鸟嘴区的热空穴注入主导了整个器件的
Novel reverse-conducting IGBT (RC-IGBT) with anti-parallel MOS controlled thyristor (MCT) is proposed.Its major feature is the introduction of an automatically controlled MCT at the anode, by which th
LiZnTi (Li0.43Zn0.27Ti0.13Fe2.17O4) ferrites doped with 0.35wt%-l.5wt% H3BO3-Bi2O3-SiO2-ZnO (BBSZ) were synthesized through low temperature ceramic sintering process.The grain growth of BBSZ doped LiZ
A novel simple surface modification route, i.e., solution deposition planarization (SDP), was firstly applied for the enhancement of the flux pinning in superconducting thin films.Solution-derived amo