添加剂MPS作用下铜电沉积的研究

来源 :2009年第十五次全国电化学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：aiwuziji

【摘要】

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【作者】

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钟琴辜敏

【机构】

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重庆大学资源及环境科学学院,重庆,400044

【出处】

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2009年第十五次全国电化学学术会议

【发表日期】

：

2009年5期

【关键词】

：

添加剂铜电沉积超大规模集成电路循环伏安电化学行为

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超大规模集成电路(VLSI)互连工艺中铜的电沉积在国内外都已经有大量的研究,研究表明为了实现铜在芯片亚微米级刻槽中的超等角填充,添加剂是很关键的.目前采用的有机添加剂主要包括促进剂,如聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)或者3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS),和抑制剂,如聚乙二醇(PEG);有的还包含少量的整平剂.促进剂在铜的电沉积中有着很重要的作用,国外对于促进剂MPS对铜电沉积的影响作用已经有一定的研究.在酸性镀铜液中,MPS单独作用时对电沉积起抑制作用,但是对于MPS 对于铜的电结晶的成核机理的研究很少.本文主要采用循环伏安(CV)、线性电位扫描(LSV)和计时安培(CA)电化学方法和电镜扫描(SEM)法对促进剂MPS作用下铜的电化学行为进行了研究.

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