论文部分内容阅读
本文采用器件仿真软件ISETCAD模拟了采用n+多晶硅/N+SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/N+SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单,性能优良的优点.
n+多晶硅/N+SiC异质结形成欧姆接触的研究
【摘 要】
：
本文采用器件仿真软件ISETCAD模拟了采用n+多晶硅/N+SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/N+SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工
【机 构】
：
西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
【出 处】
：
第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
：
2005年期
其他文献
本文提出利用电阻加固的SRAM单元,采用去耦电阻加固单元时,应该注意去耦电阻随工艺加工和温度的变化,进而在设计中给予充分的考虑.通过对单元的仿真,可以估算去耦电阻的阻值.
本文根据RESURF原理,模拟实现了一种适用于D类音频功放的LDMOS器件,其工艺流程参考中国科学院微电子研究所标准BiCMOS工艺,利用TSUPREM-4软件对其进行了工艺模拟,根据工艺模
本文在U型发射极结构基础上，提出了一种新结构HBT.该器件工艺简单,可靠性好,成品率高,而且仍然具有U型发射极HBT良好的的击穿、直流和高频特性.
根据已发表的人、小鼠、地鼠、奶牛、野兔、猪、猩猩、绵羊动物的C3d基因同鸡的C3α链进行序列比较分析,发现在鸡的C3α链上有一段约897bp序列同上述动物有较高的同源性,在上
会议
建立了一种能特异性地扩增猪圆环病毒Ⅱ型(porcinecircovirustype2,PCV-2)核酸片段的PCR方法,从疑似断奶猪多系统衰竭综合征(PMWS)的感染病例的淋巴结和脾脏中扩增出了预期长
本文研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压PMOS器件.首先利用SynopsysTCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μmN阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并
本文在一种有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅TFT内,测试其应力衰退特性时,观察到某种"自恢复"的衰退现象.即当栅和源漏同时施加偏压应力时,测试其源漏电流随时间的变化,则发
本文采用纳米掩模自组装和等离子体各向异性刻蚀相结合的技术,制备出了带栅极结构的单晶硅纳米线场发射阵列.场致电子发射测试结果表明,制备的硅纳米线场发射阵列具有较低的
本文对与CMOS工艺兼容的硅基PERL型LED的研究进展进行了论述。文章介绍了一种全新的PERL结构的硅基LED,并针对该结构在通讯中的应用提出了改进设想.