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本文在U型发射极结构基础上，提出了一种新结构HBT.该器件工艺简单,可靠性好,成品率高,而且仍然具有U型发射极HBT良好的的击穿、直流和高频特性.
新结构InGaP/GaAs HBT的研制
【摘 要】
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本文在U型发射极结构基础上，提出了一种新结构HBT.该器件工艺简单,可靠性好,成品率高,而且仍然具有U型发射极HBT良好的的击穿、直流和高频特性.
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京,100029
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年期
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