我们将单层的石墨烯覆盖在通过分子束外延在Si(001)衬底上自组织生长10层有序的锗硅量子点锗硅上，形成特殊的锗硅量子点/石墨烯复合结构，量子点的周期性为100nm(图1).通过测量我们发现，该复合结构的光学特性有了极大的改变.在325nmHeCd激光下，与未覆盖单层石墨烯的锗硅量子点区域相比，复合结构区域的光致发光强度得到了1.7倍的增强.这样的增强是由于石墨烯表面等离激元的共振激发所导致的(图2)；不同的是，在488nm氩离子激光器的激发下，与未覆盖单层石墨烯的锗硅量子点区域相比，复合结构区域的光致发光强度被减弱了1.8倍.强度的减弱是由于在电子空穴对复合过程中，石墨烯作为一种半金属材料将大量的电子从锗硅量子点的导带处转移至石墨烯表面，因此用于复合发光的电子空穴对数量大量减少，光谱强度被减弱(图3).因此，石墨烯或者可以用来调控锗硅纳米结构的光电特性，对于改善锗硅纳米结果的发光强度有极大的帮助.