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通过预先建立校正过程中需要的各种规则表,校正过程中需要的参数通过查表获得,快速、准确地实现用电子束曝光技术加工MEMS微器件中的邻近效应校正.采用局部和全局分层校正机制,局部校正准确计算,全局校正以图形单元为单位进行近似估计,满足了校正精度和速度两个方面的要求.
电子束光刻中的快速邻近效应校正技术的研究
【摘 要】
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通过预先建立校正过程中需要的各种规则表,校正过程中需要的参数通过查表获得,快速、准确地实现用电子束曝光技术加工MEMS微器件中的邻近效应校正.采用局部和全局分层校正机
【机 构】
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山东大学控制学院电子束研究所,山东济南,250061
【出 处】
：
第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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2005年12期
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