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ＴＯＦ－ＳＩＭＳ提供了一个探测和分析微芯片键合点上有机沾污的有力手段。分析比较了两个集成电路芯片上钻键合点的ＴＯＦ－ＳＩＭＳ二次离子谱，其中一个芯片经目检发现其键合点在工艺流程中被沾污，而另一个是无沾污芯片。根据对ＴＯＦ－ＳＩＭＳ特征谱线的拼结合键合点上各种分子碎片的二次离子像的研究，发现沾污点的二次离子特征谱是由以Ａｌ〈，ｘ〉Ｏ〈，ｙ〉Ｆ〈，ｚ〉〈’－〉（ｚ＝３ｘ－２ｙ＋１）为特征的铝蚀反应生成物离子，以及某些以Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｈ和Ｆ构成的有机化合物的分子碎片离子组成。研究发现这些有机沾污物所处位置与铝腐蚀点一致它们在加工工艺中与氟反应，并对铝起腐蚀作用。经分析发现这些有机沾污来源于微芯片的加工工艺过程，并针对其提出了相应措施，从而消除了此类沾污。